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光电子芯片制造的重大突破：中国科学家首次获得纳米级光刻三维结构

9月14日，由南京大学张勇、肖敏和朱世宁领导的研究团队在世界顶尖学术期刊《自然》上发表了下一代光电子芯片制造领域的重大突破。

这项新技术打破了传统飞秒激光器的光衍射极限，将光刻铌酸锂三维结构的尺寸从传统的1微米级（相当于头发的五分之一）减小到纳米级，高达30纳米，大大提高了加工精度。

将其应用于量子光学领域，可以实现高效、高维、窄线宽的量子纠缠产生；在电子学领域，它可以促进高性能铁电畴壁纳米电子器件的发展，如大容量可重写非易失性存储器；在声学领域，纳米周期铁电畴结构可以实现超高频声学谐振器和滤波器。飞秒激光偏振技术可进一步应用于其他铁电晶体，包括钽酸锂和磷酸钛钾晶体等，推动高性能三维光学、声学和电气集成器件的发展。

本研究工作得到了科技部国家重点研发计划、国家自然科学基金、固体微结构物理国家重点实验室和人工微结构科学技术协同创新中心的支持。