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N沟道增强型场效应晶体管 2N7000、2N7002、NDS7002A说明 这些 N-沟道增强型场效应晶体管是 使用 Onsemi专有的高单元密度 DMOS生产 技术。这些产品旨在最大限度地减少-状态 电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关 表现。它们可用于大多数需要高达 400 mAdc，可提供高达 2 A 的脉冲电流。这些产品 特别适用于低电压、低电流应用，例如 作为小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器等 切换应用程序。 特征 • 低 RDS(on) 的高密度电池设计 • 压控小信号开关 • 坚固可靠 • 高饱和电流能力 • 该设备不含铅和卤素
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